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工艺流程主要包括：图带梯电在石墨烯表面旋涂一层转移介质，通常为PMMA，聚二甲基硅氧烷（PDMS）等。图4.a.甲烷在铜基底的脱氢裂解过程b.Ar/H2比例对石墨烯单晶边界的调控c-g.不同H2分压下石墨烯晶畴尺寸形貌的调控此外，解阶通过综合调节碳源（种类、解阶含量）、生长衬底（种类、粗糙度、晶畴取向、纯度）和外界环境（气体成分、压强、温度），可以实现对石墨烯畴区尺寸、形貌、缺陷、层数和质量的控制。

Gu等[10]提出了利用液态Cu再固化生长大畴区石墨烯的概念，电费他们通过将衬底退火温度提高到Cu的熔点以上从而使得Cu液化，电费在该状态下Cu的晶界会完全消失，然后降温至生长温度，使液化的Cu重新固化，重新固化的Cu表面缺陷明显降低，因此能够在其表面生长得到尺寸均一的接近毫米级别的六边形石墨烯晶畴。担任物理化学学报主编、图带梯电科学通报副主编，图带梯电Adv.Mater.、Small、NanoRes.、ChemNanoMat、GrapheneTechnology、APLMater.、NPGAsiaMater.、NaturalScienceReview、J.Photochem.Photobiol.CPhtotochem.Rev.等国际期刊编委或顾问编委。解阶图2.CVD法制备石墨烯演示图2.2石墨烯生长的化学热力学与动力学薄膜生长的反应是活性反应物种在基底表面相互作用的过程。

图7.AB堆垛双层石墨烯结构特点针对双层石墨烯的可控制备，电费2014年，电费Kaustav等[2]提出在铜镍合金薄膜上制备双层石墨烯的方法，利用碳原子在铜镍合金中较高的溶解度，基于碳原子在铜镍合金中偏析生长机制获得大面积双层石墨烯薄膜。图1.CVD法制备石墨烯示意图2.石墨烯生长的热力学与动力学过程2.1石墨烯CVD生长的一般过程CVD法制备石墨烯，图带梯电主要是利用碳源在一定温度或外场下发生化学分解并在基底表面沉积来实现。

解阶然而骨感的现实和丰满的理想之间仍存在巨大差距。

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